Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/325856
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Лукашевич, Михаил Григорьевич | - |
dc.contributor.author | Азарко, Игорь Иосифович | - |
dc.contributor.author | Сидоренко, Юлия Владимировна | - |
dc.date.accessioned | 2025-02-10T16:53:48Z | - |
dc.date.available | 2025-02-10T16:53:48Z | - |
dc.date.issued | 2024-07-15 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/325856 | - |
dc.description | Дисциплина изучается в 7 семестре. Всего на изучение данной учебной дисциплины отведено: 100 часов, в том числе 50 аудиторных часа, из них: лекции – 32 часа, семинарские занятия – 14 часов, управляемая самостоятельная работа – 4 часа. Трудоемкость учебной дисциплины составляет 3 зачетные единицы. Форма промежуточной аттестации – экзамен. | ru |
dc.description.abstract | Проектирование и изготовление современных микро- и наноэлектронных устройств невозможно без понимания энергетического спектра электронов и сути неравновесных электронных процессов в полупроводниковых материалах, их изменения при наложении таких внешних воздействий как электрическое и магнитное поле, проявления в них классических и квантовых размерных эффектов. Это особенно актуально в условиях непрерывного совершенствования технологии изготовления и уменьшения линейных размеров элементов интегральных микросхем. Следовательно, в данной учебной дисциплине рассматриваются следующие вопросы: основные достижения и этапы развития полупроводниковой электроники, рынка электроники; основы физики зонного энергетического спектра электронов и физики неравновесных процессов в полупроводниках; физические основы влияния внешних электрического и магнитного полей на электронные состояния и процессы в полупроводниках; основы физики неравновесных процессов в полупроводниках; физические принципы действия и свойства базовых элементов, полупроводниковых приборов и интегральных схем; элементы технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение | ru |
dc.title | Электронная теория полупроводников, физика полупроводниковых приборов: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 07 Физика наноматериалов и нанотехнологий. № УД-13346/уч. | ru |
dc.type | syllabus | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Электронная теория полупроводн. физика полупроводн. приборов.pdf | 1,42 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.