Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/325856
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛукашевич, Михаил Григорьевич-
dc.contributor.authorАзарко, Игорь Иосифович-
dc.contributor.authorСидоренко, Юлия Владимировна-
dc.date.accessioned2025-02-10T16:53:48Z-
dc.date.available2025-02-10T16:53:48Z-
dc.date.issued2024-07-15-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/325856-
dc.descriptionДисциплина изучается в 7 семестре. Всего на изучение данной учебной дисциплины отведено: 100 часов, в том числе 50 аудиторных часа, из них: лекции – 32 часа, семинарские занятия – 14 часов, управляемая самостоятельная работа – 4 часа. Трудоемкость учебной дисциплины составляет 3 зачетные единицы. Форма промежуточной аттестации – экзамен.ru
dc.description.abstractПроектирование и изготовление современных микро- и наноэлектронных устройств невозможно без понимания энергетического спектра электронов и сути неравновесных электронных процессов в полупроводниковых материалах, их изменения при наложении таких внешних воздействий как электрическое и магнитное поле, проявления в них классических и квантовых размерных эффектов. Это особенно актуально в условиях непрерывного совершенствования технологии изготовления и уменьшения линейных размеров элементов интегральных микросхем. Следовательно, в данной учебной дисциплине рассматриваются следующие вопросы: основные достижения и этапы развития полупроводниковой электроники, рынка электроники; основы физики зонного энергетического спектра электронов и физики неравновесных процессов в полупроводниках; физические основы влияния внешних электрического и магнитного полей на электронные состояния и процессы в полупроводниках; основы физики неравновесных процессов в полупроводниках; физические принципы действия и свойства базовых элементов, полупроводниковых приборов и интегральных схем; элементы технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроникиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроениеru
dc.titleЭлектронная теория полупроводников, физика полупроводниковых приборов: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 07 Физика наноматериалов и нанотехнологий. № УД-13346/уч.ru
dc.typesyllabusru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Электронная теория полупроводн. физика полупроводн. приборов.pdf1,42 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.