Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/325763
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Семченко, Алина Валентиновна | - |
dc.date.accessioned | 2025-02-07T10:16:19Z | - |
dc.date.available | 2025-02-07T10:16:19Z | - |
dc.date.issued | 2025 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/325763 | - |
dc.description | Тема диссертации соответствует п. 4 «Машиностроение, машиностроительные технологии, приборостроение и инновационные материалы: микро-, опто- и СВЧ-электроника, фотоника, микросенсорика; наноматериалы и нанотехнологии, нанодиагностика» перечня приоритетных направлений научной, научно-технической и инновационной деятельности на 2021–2025 гг., утвержденных Указом Президента Республики Беларусь от 07.05.2020 № 156. | ru |
dc.description.abstract | Целью исследования является установление закономерностей влияния состава и особенностей синтеза золь-гель методом тонкопленочных сегнетоэлектриков, мультиферроиков и прозрачных проводящих оксидов на их функциональные свойства для создания новых изделий микроэлектроники. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Формирование золь-гель методом функциональных слоев для микро- и оптоэлектроники : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.07 / А.В. Семченко ; Белорусский государственный университет | ru |
dc.type | doctoral thesis | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | Авторефераты докторских диcсертаций, защищенных в совете Д 02.01.16 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Автореферат_типография.pdf | 2,79 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.