Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/32357
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorYablonskii, G. P.-
dc.contributor.authorLutsenko, E. V.-
dc.contributor.authorPavlovskii, V. N.-
dc.contributor.authorProtzmann, H.-
dc.contributor.authorLuenenbuerger, M.-
dc.contributor.authorZubialevich, V. Z.-
dc.contributor.authorSchineller, B.-
dc.contributor.authorGerstenbrandt, G.-
dc.contributor.authorHeuken, M.-
dc.date.accessioned2013-02-11T09:25:52Z-
dc.date.available2013-02-11T09:25:52Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/32357-
dc.language.isoruru
dc.publisherАКАДЕМИЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРЕЗИДЕНТЕ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleOptical and laser properties of the InGaN/GaN multiple quantum well heterostructuresru
Располагается в коллекциях:2002. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
43.pdf89,33 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.