Электронные процессы и статистическая физика полупроводников: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 08 Компьютерная физика. № УД-13213/уч.

Abstract

Цель учебной дисциплины - формирование у студентов целостных представлений о динамических и статистических характеристиках электронов в полупроводниках, которые представляются базовыми для изучения физики полупроводниковых приборов. В учебной дисциплине дается краткий вывод основных статистических функций распределения. Рассматриваются равновесные свойства электронов, дырок, фононов в образцах материалов различной размерности. Анализируется влияние магнитного и электрического полей на заполнение электронами состояний в зонах разрешенных значений энергии, а также статистика точечных атомных дефектов в кристаллической структуре и их зарядовые состояния. Излагается статистический метод; рассматриваются равновесные свойства квазичастиц (электронов, дырок, фононов). Анализируется влияние магнитного и электрического полей на заполнение электронных и дырочных состояний, а также статистика точечных дефектов в кристаллах. Рассматриваются кинетическим процессы с участием электронной и фононной подсистем кристалла. Разбираются вопросы миграции электронов по неподвижным точечным дефектам (атомам примесей). Излагаются важные для приложений в полупроводниковой электронике аспекты конденсированных систем. Рассматриваются основные факторы, влияющие на технологические процессы изготовления устройств микро- и наноэлектроники. Приводятся возможности и ограничения важнейших методов исследования материалов на различных стадиях технологических процессов. Дается представление о роли точечных дефектов строения (структуры) кристаллических полупроводниковых материалов в формировании термодинамических (например, экранирование электростатического поля, плотность электронных состояний) и кинетических (электропроводность, термоэдс) свойств кристаллических тел.