Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/322218
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАникеев, Илья Иванович-
dc.date.accessioned2024-11-21T14:33:42Z-
dc.date.available2024-11-21T14:33:42Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/322218-
dc.descriptionНаучная работа выполнена в Белорусском государственном университете. Научный руководитель — Поклонский Николай Александрович, член-корреспондент НАН Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры физики полупроводников и наноэлектроники Белорусского государственного университетаru
dc.description.abstractЦель работы — аналитическое и численное описание электропроводности, термической энергии активации водородоподобных примесей, прыжковой фотопроводимости, донорно-акцепторной рекомбинации, емкости и сдвига фаз в легированных компенсированных полупроводниках и элементах приборных структур.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинскru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроениеru
dc.subjectЭБ БГУ::Подразделение БГУ::Физический факультетru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математикаru
dc.subject01.04.10 — физика полупроводниковru
dc.titleМиграция электронов и дырок по точечным дефектам в компенсированных полупроводниках и элементах приборных структур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Аникеев Илья Иванович; Белорусский государственный университетru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeThe goal of this work: analytical and numerical description of the electrical conductivity, the thermal activation energy of hydrogen-like impurities, hopping photoconductivity, radiative donor-acceptor recombination, capacitance and phase shift in doped compensated semiconductors and devices.ru
Располагается в коллекциях:Авторефераты диссертаций, защищенных в 2024 г. (Д 02.01.16 — физико-математические науки)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Автореферат 01.04.10 Аникеев.pdf940,98 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.