Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/322218
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Аникеев, Илья Иванович | - |
dc.date.accessioned | 2024-11-21T14:33:42Z | - |
dc.date.available | 2024-11-21T14:33:42Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/322218 | - |
dc.description | Научная работа выполнена в Белорусском государственном университете. Научный руководитель — Поклонский Николай Александрович, член-корреспондент НАН Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры физики полупроводников и наноэлектроники Белорусского государственного университета | ru |
dc.description.abstract | Цель работы — аналитическое и численное описание электропроводности, термической энергии активации водородоподобных примесей, прыжковой фотопроводимости, донорно-акцепторной рекомбинации, емкости и сдвига фаз в легированных компенсированных полупроводниках и элементах приборных структур. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::Подразделение БГУ::Физический факультет | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика | ru |
dc.subject | 01.04.10 — физика полупроводников | ru |
dc.title | Миграция электронов и дырок по точечным дефектам в компенсированных полупроводниках и элементах приборных структур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Аникеев Илья Иванович; Белорусский государственный университет | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.description.alternative | The goal of this work: analytical and numerical description of the electrical conductivity, the thermal activation energy of hydrogen-like impurities, hopping photoconductivity, radiative donor-acceptor recombination, capacitance and phase shift in doped compensated semiconductors and devices. | ru |
Располагается в коллекциях: | Авторефераты диссертаций, защищенных в 2024 г. (Д 02.01.16 — физико-математические науки) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Автореферат 01.04.10 Аникеев.pdf | 940,98 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.