Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/32060| Заглавие документа: | Особенности фотолюминесценции (фл) лазерноотожженных n+-n-i субмикронных GaAs-структур |
| Авторы: | Емельяненко, Ю. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2000 |
| Издатель: | БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/32060 |
| Располагается в коллекциях: | 2000. Квантовая электроника |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.