Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/319069
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБогдан, Вадим Андреевич-
dc.date.accessioned2024-09-24T06:16:20Z-
dc.date.available2024-09-24T06:16:20Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/319069-
dc.description.abstractИзучение физических моделей, описывающих рассеяние электронов в полупроводниках методом Монте-Карло.ru
dc.language.isoruru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleУгловое распределение электронов при рассеянии на ионах примеси в полупроводникахru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Физическая электроника. 2024

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Аннотация_Богдан.pdf204,39 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.