Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/31740
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЗубелевич, В. З.-
dc.contributor.authorЛуценко, Е. В.-
dc.contributor.authorПавловский, В. Н.-
dc.contributor.authorDanailov, M. B.-
dc.contributor.authorDikme, Y.-
dc.date.accessioned2013-02-05T11:49:39Z-
dc.date.available2013-02-05T11:49:39Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/31740-
dc.language.isoruru
dc.publisherАКАДЕМИЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРЕЗИДЕНТЕ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleСравнительный анализ люминесцентных свойств InGaN/GaN МКЯ гетероструктур, выращенных на подложках сапфира и кремнияru
Располагается в коллекциях:2004. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
58_.pdf308,15 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.