Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/315243Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2024-06-28T12:11:10Z | - |
| dc.date.available | 2024-06-28T12:11:10Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024) : материалы IV Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 25–26 апр. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Скакун (гл. ред.), Н. Н. Яцков, В. В. Гринёв. – Минск : БГУ, 2024. – С. 153-156. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-636-0 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/315243 | - |
| dc.description | Секция «Компьютерное моделирование процессов и систем» | |
| dc.description.abstract | С помощью многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование тока в кремниевых фотодиодах с pin-структурой при обратном смещении и воздействии пикосекундных импульсов излучения с длиной волны 532 и 650 нм. Рассмотрены диодные структуры с различной толщиной нелегированной области | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование фототока в кремниевых фотодиодах с PIN-структурой | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 153-156.pdf | 623,1 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.