Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/31395
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛуценко, Е. В.-
dc.contributor.authorВойнилович, А. Г.-
dc.contributor.authorДанильчик, А. В.-
dc.date.accessioned2013-02-01T09:32:59Z-
dc.date.available2013-02-01T09:32:59Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/31395-
dc.language.isoruru
dc.publisherРЕДАКЦИОННО-ИЗДАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР АКАДЕМИИ УПРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРЕЗИДЕНТЕ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleОптическое усиление в пороге генерации квантоворазмерных InGaN/GaN светодиодных гетероструктур, выращенных на кремниевых подложкахru
Располагается в коллекциях:2008. Квантовая электроника

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.