Структура и электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия, ионами криптона с энергией 145 МэВ

Abstract

В работе рассматриваются результаты исследования структуры и электрических свойств гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия, синтезированных методом взрывного термического испарения на подложках арсенида галлия. Пленки были облучены ионами криптона с энергией 145 МэВ и флюенсами 10 12 и 5⋅10 12 см-2. Установлено, что в процессе облучения увеличивается величина макронапряжений (59,4 МПа и 506 МПа при флюенсах 10 12 см-2 и 5∙10 12 см-2 соответственно), что связано с возникающими вдоль границы трека напряжениями. Изменение электрических свойств обусловлено амфотерной природой дефектных комплексов