Электронная библиотека БГУ: 2000. Квантовая электроника

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

2000. Квантовая электроника : [141] Главная страница коллекции Статистика

Сборник подготовлен в соответствии с программой конференции, организованной Белорусским государственным университетом, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко, Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований, IEEE LEOS. Содержит материалы по следующим научным направлениям: теоретические проблемы квантовой электроники; физика лазеров; системы и методы квантовой электроники; компьютеризация лазерных исследований; прикладные исследования; методические аспекты преподавания соответствующих дисциплин. Для специалистов в области квантовой электроники, лазерной физики и приложений этих наук.

Квантовая электроника : Материалы 3 Международной науч.-техн. конф., Минск, 20-22 ноября 2000 г. / БГУ, НИИ прикладных физ. проблем им. АН. Севченко, Бел. респ. фонд фунд. исслед., IEEE LEOS ; под ред. И. С. Манака. - Мн., 2000. - 228 с. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 985-445-382-0.

При полном или частичном использовании материалов ссылка на сайт Электронной библиотеки БГУ (www.elib.bsu.by) обязательна.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 101 по 120 из 141

< предыдущий следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2000	Стационарные состояния и их устойчивость в твердотельном лазере с анизотропным насыщающимся поглотителем	Котомцева, Л. А.; Русов, С. Г.
2000	Генерация пикосекундных импульсов ВКР в кристалле LiIO3 в режиме синхронной накачки	Гулис, И. М.; Саечников, К. А.
2000	Перестраиваемый по частоте лазер с использованием многократного вынужденного рассеяния Мандельштама-Бриллюэна	Окушко, В. А.; Дашкевич, В. И.
2000	Расширение диапазона перестройки частоты моноимпульсной генерации при автоинжекции затравочного излучения в двухканальном резонаторе с призменным отражателем	Тюшкевич, Б. Н.; Рыбаковский, О. В.
2000	Лазер с автоинжекцией моноимпульсного затравочного излучения в линейном резонаторе	Тюшкевич, Б. Н.; Тюшкевич, Ю. Б.
2000	Твердотельные лазеры среднего ик диапазона с диодной лазерной накачкой	Орлов, Л. Н.; Желтов, Г. И.; Некрашевич, Я. И.
2000	Нелинейный тепловой режим активных элементов твердотельных лазеров	Рубанов, А. С.; Орлович, В. А.
2000	Временные и мощностные характеристики Nd:YVO4 лазера с диодной накачкой С GaAs отражателем в режиме пассивной модуляции добротности	Демидович, А. А.; Кузьмин, А. Н.
2000	Спектрально-люминесцентные свойства лантанодных (III) комплексов в силикатных гель-матрицах	Арабей, С. М.; Павич, Т. А.
2000	Исследование передаточной характеристики планарного полупроводникового оптического усилителя методом численного моделирования	Марьин, Н. Н.; Ржанов, А. Г.; Логгинов, А. С.
2000	Directivity of electric discharges in semiconductor lasers	Rusakov, K. I.; Parashuck, V. V.
2000	Линейка лазерных диодов непрерывного режима работы с мощностью излучения более 10 Вт	Белановский, Е. А.; Давыдова, Е. И.; Коваль, Ю. П.; Залевский, И. Д.; Лебедева, Е. И.; Лобинцов, А. В.; Перевезенцев, В. В.; Петровский, В. А.
2000	Инжекционный лазер с длиной волны излучения 1060 нм и мощностью непрерывной генерации 3 Вт	Залевский, И. Д.; Коняев, В. П.; Кричевский, В. В.; Зверков, М. В.; Оськин, В. В.; Падалица, А. А.; Мармалюк, А. А.
2000	Импульсные лазерные диоды высокой яркости с длиной волны излучения 905 нм	Залевский, И. Д.; Коняев, В. П.; Зверков, М. В.; Кричевский, В. В.; Падалица, А. А.
2000	Исследование влияния температуры на излучательные характеристики одночастотных GaAs/GaAlAs	Курносов, В. Д.; Курносов, К. В.; Романцевич, В. И.; Шишкин, В. А.
2000	Брэгговское отражение световых волн от сверхрешеток вблизи экситонных резонансов	Хило, П. А.; Краморева, Л. И.
2000	Измерение оптоэлектронного отклика многомодового инжекционного лазера	Карих, Е. Д.; Пухов, Д. В.
2000	Двухчастотный лазер на основе квантоворазмерной гетероструктуры, состыкованной с волокном	Наливко, С. В.; Даниленко, Т. В.; Манак, И. С.
2000	Анализ модовой структуры инжекционных лазеров полосковой геометрии с учетом эффекта рассеяния на гранях резонатора	Афоненко, А. А.; Згирский, В. Н.; Манак, И. С.
2000	Применение расширенной модели квантоворазмерного лазера для описания поведения VCSEL	Сухоиванов, И. А.; Иванов, П. С.; Лысак, В. В.

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 101 по 120 из 141

< предыдущий следующий >

2000. Квантовая электроника : [141] Главная страница коллекции Статистика

Просмотр