Расчет в магнитном поле спектральных и мощностных характеристик GaAs/AlGaAs ККЛ ТГц-диапазона

Abstract

Для ТГц-структур GaAs/AlGaAs квантово-каскадного лазера c 4 квантовыми ямами и двойным металлическим волноводом теоретически исследованы спектральные (3–4 ТГц) и мощностные характеристики в магнитном поле, приложенном параллельно оси роста. Проведен расчет уровней Ландау для различных магнитных полей. В приближении эффективной плотности состояний рассчитаны скорости электрон-фононного, электрон-примесного рассеяния и рассеяния на шероховатостях гетерограниц. Как показывают расчеты, при увеличении магнитного поля обнаруживаются выраженные осцилляции населенности уровней и времени жизни носителей заряда на основных уровнях, а также выходной мощности излучения. Наблюдаемые эффекты связаны с межуровневыми резонансами Ландау и подавлением или ростом каналов безызлучательной рекомбинации с помощью дополнительного квантования Ландау.