Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/310769
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПрокопьев, Станислав Леонидович-
dc.date.accessioned2024-03-29T13:07:01Z-
dc.date.available2024-03-29T13:07:01Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/310769-
dc.descriptionНаучная работа выполнена в Белорусском государственном университете. Научный руководитель – Гайдук Петр Иванович, доктор физико-математических наук, доцент, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного университетаru
dc.description.abstractЦель работы – установление закономерностей структурно-фазовых превращений, изменения элементного состава и электрофизических свойств полупроводниковых структур с монокристаллическими и поликристаллическими слоями на основе Si, Ge, Sn, SnO2, модифицированными лазерным излучением с импульсами наносекундной длительности.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинскru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроениеru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химияru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленностьru
dc.subject01.04.10 – Физика полупроводниковru
dc.titleСтруктурно-фазовые изменения в гетерослоях на основе Si, Ge, Sn, SnO2 при их формировании и импульсной лазерной обработке : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Прокопьев Станислав Леонидович; Белорусский государственный университетru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeThe aim of the work is to establish patterns of structural and phase transformations, changes in the elemental composition and electrophysical properties of semiconductor structures with monocrystalline and polycrystalline layers based on Si, Ge, Sn, SnO2 modified by laser radiation with nanosecond pulses.ru
Располагается в коллекциях:Авторефераты диссертаций, защищенных в 2024 г. (Д 02.01.16 — физико-математические науки)
01.04.10 – Физика полупроводников

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Автореферат 01.04.10 Прокопьев.pdf13,11 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.