Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/310769
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Прокопьев, Станислав Леонидович | - |
dc.date.accessioned | 2024-03-29T13:07:01Z | - |
dc.date.available | 2024-03-29T13:07:01Z | - |
dc.date.issued | 2024 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/310769 | - |
dc.description | Научная работа выполнена в Белорусском государственном университете. Научный руководитель – Гайдук Петр Иванович, доктор физико-математических наук, доцент, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного университета | ru |
dc.description.abstract | Цель работы – установление закономерностей структурно-фазовых превращений, изменения элементного состава и электрофизических свойств полупроводниковых структур с монокристаллическими и поликристаллическими слоями на основе Si, Ge, Sn, SnO2, модифицированными лазерным излучением с импульсами наносекундной длительности. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность | ru |
dc.subject | 01.04.10 – Физика полупроводников | ru |
dc.title | Структурно-фазовые изменения в гетерослоях на основе Si, Ge, Sn, SnO2 при их формировании и импульсной лазерной обработке : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Прокопьев Станислав Леонидович; Белорусский государственный университет | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.description.alternative | The aim of the work is to establish patterns of structural and phase transformations, changes in the elemental composition and electrophysical properties of semiconductor structures with monocrystalline and polycrystalline layers based on Si, Ge, Sn, SnO2 modified by laser radiation with nanosecond pulses. | ru |
Располагается в коллекциях: | Авторефераты диссертаций, защищенных в 2024 г. (Д 02.01.16 — физико-математические науки) 01.04.10 – Физика полупроводников |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Автореферат 01.04.10 Прокопьев.pdf | 13,11 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.