Структурно-фазовые изменения в гетерослоях на основе Si, Ge, Sn, SnO2 при их формировании и импульсной лазерной обработке : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Прокопьев Станислав Леонидович; Белорусский государственный университет

Прокопьев, Станислав Леонидович

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/310769

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Прокопьев, Станислав Леонидович	-
dc.date.accessioned	2024-03-29T13:07:01Z	-
dc.date.available	2024-03-29T13:07:01Z	-
dc.date.issued	2024	-
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/310769	-
dc.description	Научная работа выполнена в Белорусском государственном университете. Научный руководитель – Гайдук Петр Иванович, доктор физико-математических наук, доцент, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного университета	ru
dc.description.abstract	Цель работы – установление закономерностей структурно-фазовых превращений, изменения элементного состава и электрофизических свойств полупроводниковых структур с монокристаллическими и поликристаллическими слоями на основе Si, Ge, Sn, SnO2, модифицированными лазерным излучением с импульсами наносекундной длительности.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	Минск	ru
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность	ru
dc.subject	01.04.10 – Физика полупроводников	ru
dc.title	Структурно-фазовые изменения в гетерослоях на основе Si, Ge, Sn, SnO2 при их формировании и импульсной лазерной обработке : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Прокопьев Станислав Леонидович; Белорусский государственный университет	ru
dc.rights.license	CC BY 4.0	ru
dc.description.alternative	The aim of the work is to establish patterns of structural and phase transformations, changes in the elemental composition and electrophysical properties of semiconductor structures with monocrystalline and polycrystalline layers based on Si, Ge, Sn, SnO2 modified by laser radiation with nanosecond pulses.	ru
Appears in Collections:	Авторефераты диссертаций, защищенных в 2024 г. (Д 02.01.16 — физико-математические науки) 01.04.10 – Физика полупроводников

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Автореферат 01.04.10 Прокопьев.pdf		13,11 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar