Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2023. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305440
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorРоманов, И. А.
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.
dc.contributor.authorВласукова, Л. А.
dc.contributor.authorПархоменко, И. Н.
dc.date.accessioned2023-12-01T07:25:33Z-
dc.date.available2023-12-01T07:25:33Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 257-261.
dc.identifier.isbn978-985-881-530-1
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/305440-
dc.description.abstractПредложена модель излучающей системы «кварц-электролит-SiO2-Si» для оценки внешнего квантового выхода электролюминесценции. Проведены расчеты в рамках представленной модели для двух случаев распределения центров люминесценции (ЦЛ): их локализация в приповерхностной области ~ 20 нм и распределение по всей глубине слоя SiO2. Показано, что при локализации ЦЛ в приповерхностной области коэффициент выхода излучения из системы «кварц-электролит-SiO2-Si» варьирует в пределах 0,25 – 2,5 для длин волн более 390 нм. При распределении ЦЛ по всей глубине слоя SiO2 коэффициент выхода излучения изменяется в пределах 1,0 – 1,5 отн. ед. при толщинах SiO2 свыше 80 нм
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние интерференции света на внешний квантовый выход электролюминесценции системы «кварц-электролит-SiO2-Si»
dc.title.alternativeEffect of light interference on electroluminescence external quantum yield of “quartz-electrolyte-SiO2 -Si” system / I. Romanov, F. Komarov, L. Vlasukova, I. Parkhomenko
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeA model of the “quartz-electrolyte-SiO2-Si” emitting system has been developed to estimate the electroluminescence external quantum yield. Calculations were carried out for two cases of the luminescence centers (CLs) distribution: their localization in the near-surface region of ~ 20 nm and distribution throughout the entire depth of the SiO2 layer. When the CLs are localized in the near-surface region, the radiation output coefficient from the “quartz-electrolyte-SiO2 -Si” system varies within 0.25 – 2.5 for wavelengths ˃390 nm. When the CLs are distributed over the entire depth of the SiO2 layer, the radiation yield coefficient varies in the range of 1.0 – 1.5 arb. units at SiO2 thicknesses above 80 nm
Располагается в коллекциях:2023. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
257-261.pdf1,74 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.