Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305434
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorДубинов, А. А.
dc.contributor.authorУшаков, Д. В.
dc.contributor.authorАфоненко, А. А.
dc.date.accessioned2023-12-01T07:25:32Z-
dc.date.available2023-12-01T07:25:32Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 238-241.
dc.identifier.isbn978-985-881-530-1
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/305434-
dc.description.abstractВ работе рассчитаны температурные зависимости усиления и поглощения на частоте 6.8 ТГц для квантово-каскадного лазера (ККЛ) на основе GaInP/AlGaInP с двумя квантовыми ямами в каскаде и волноводом металл-металл. Предложена структура лазера, обеспечивающая модовое усиление свыше 90 см-1 при максимальной рабочей температуре 104 К. Результаты данного исследования открывают путь к созданию ККЛ для работы в значительной части области фононной полосы поглощения GaAs, недоступной для существующих ККЛ
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке Российского Научного Фонда, грант № 23-19-00436, https://rscf.ru/project/23-19-00436/.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleКвантово-каскадный лазер на основе AlGaInP с частотой генерации 6.8 ТГц
dc.title.alternativeQuantum cascade laser based on AlGaInP with a generation frequency of 6.8 THz / А. A. Dubinov, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe temperature dependences of gain and absorption at 6.8 THz have been calculated for a GaInP/AlGaInP-based quantum-cascade laser (QCL) with two quantum wells in the cascade and a metal-to-metal waveguide. A laser structure providing modal gain of over 90 cm-1 at a maximum operating temperature of 104 K is proposed. The results of this study open the way to the development of QCLs for operation in a significant part of the GaAs phonon absorption band region, which is inaccessible for existing QCLs
Располагается в коллекциях:2023. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
238-241.pdf1,61 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.