Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305415Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2023-12-01T07:25:19Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-01T07:25:19Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 167-170. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-530-1 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305415 | - |
| dc.description.abstract | Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Путем моделирования из первых принципов исследованы фононные свойства графана – одной из модификаций графена с использованием атомов водорода. Полученные характеристики и параметры графана могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои модифицированного графена и других полупроводниковых материалов | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование из первых принципов фононных свойств графена, модифицированного атомами водорода | |
| dc.title.alternative | First-principles modelling of phonon properties of graphene modified with hydrogen atoms / V. N. Mishchanka | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Graphene is currently considered as one of the most promising materials for creating new semiconductor devices for different frequency ranges. The phonon properties of graphane, one of the modifications of graphene using hydrogen atoms, are investigated by first-principles modelling. The obtained characteristics and parameters of graphane can serve as a basis for the creation of new heterostructured devices containing layers of modified graphene and other semiconductor materials | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 167-170.pdf | 1,66 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.