Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304319Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Одринский, А. П. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:53Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:53Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 189-191. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304319 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids | |
| dc.description.abstract | Метод фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS) использован для исследования процессов делокализации заряда в 2D-структурированном монокристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2:Nd. Сравнением с результатами ранних исследований нелегированного кристалла обнаружено смещение графика Аррениуса процесса делокализации заряда, регистрируемого в области температуры наблюдения аномальной реакции кристалла на свет, интерпретированное в рамках усиления термоэмиссии заряда в нелегированном кристалле | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований, грант № Ф22-127. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Исследование термоделокализации заряда монокристалла TlGaSe2 в области температуры 220-260 К | |
| dc.title.alternative | Investigation of charge thermal delocalization of monocrystal TlGaSe2 in the temperature region 220 - 260 K / Andrey P. Odrinsky | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) technique is applied for studying the processes of charge delocalization in 2D-structured single crystal of TlGaSe2:Nd ferroelectric-semiconductor. Keep in mind the presence of photo galvanic effect in crystal main attention was paid the process of charge delocalization in temperature region 220-280 K. It is show that this process connected with native defects of TlGaSe2 that involving in formation of electret’s states of crystal. Arrenius plot of this process was shifted in high temperature direction as compared with results of early researches on undoped crystal of TlGaSe2. This is good coincided with weak photo galvanic effect in neodim doped crystal. Thus, we have the thermo emission enhancement effect in undoped crystal of TlGaSe2. As explanation of this emission enhancement the effect of phonon-assistant tunneling was proposed | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 189-191.pdf | 315,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.