Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60Сo

Abstract

Исследовано влияние γ-излучения 60Со на изменение барьерной ёмкости (Сб) p-i-n-фотодиодов на основе кремния. Приборы изготавливались на пластинах p-Si ориентации (100) с ρ = 1000 Ом·см, выращенных методом бестигельной зонной плавки. Область p+-типа создавалась имплантацией ионов B+ в непланарную сторону пластины, области n+-типа ‒ диффузией P в планарную сторону пластины. Облучение γ-квантами производилось от источника 60Со дозами до 1,5·10 15 квант/см2. Установлено, что в результате воздействия облучения γ-квантами при напряжении внешнего смещения Vобр ≤1 В происходит увеличение С б по сравнению с необлученными образцами. В то же время при Vобр в диапазоне от 1 В до 20 В величина C б после облучения снизилась по сравнению с исходной. Это обусловлено изменением в результате облучения размеров области обеднения: при напряжениях смещения менее 1 В она уменьшилась, а при Vобр свыше 1 В – возросла. Наблюдаемый эффект связан с изменением величины контактной разности потенциалов