Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304312
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКучканов, Ш. К.
dc.contributor.authorАшуров, Х. Б.
dc.contributor.authorАбдурахманов, Б. М.
dc.contributor.authorАдилов, М. М.
dc.contributor.authorМаксимов, С. Е.
dc.contributor.authorМахмудов, Ш.
dc.contributor.authorКамардин, А. И.
dc.date.accessioned2023-11-03T13:27:52Z-
dc.date.available2023-11-03T13:27:52Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 171-173.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/304312-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids
dc.description.abstractПриведены результаты исследований влияния ионной обработки и облучения тепловыми нейтронами эпитаксиальных плёночных кремниевых p-n-структур на генерацию в них при нагреве ЭДС и носителей заряда. Показано, что эффект более стабилен в случае нейтронного облучения. Сделан вывод о перспективности применения радиационной обработки полупроводниковых структур для разработки преобразователей тепловой энергии
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние нейтронного облучения и ионной обработки на генерацию ЭДС и носителей зарядов в эпитаксиальных плёночных кремниевых p-n-структурах
dc.title.alternativeInfluence of neutron irradiation and ion treatment on the generation of EMF and charge carriers in epitaxial silicon film p-n-structures / Sh.K. Kuchkanov, Kh.B. Ashurov, B.M. Abdurakhmanov, M.M. Adilov, S.E. Maksimov, Sh. Makhmudov, A.I. Kamardin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe results of studies of the effect of ion treatment and irradiation with thermal neutrons of epitaxial silicon film p-n structures on generation in them during heating of the EMF and charge carriers are presented. It is shown that the effect is more stable in the case of neutron irradiation. A conclusion is made about the prospects of using radiation treatment of semiconductor structures for the development of thermal energy converters
Располагается в коллекциях:2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
171-173.pdf311,78 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.