Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304306Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Гринюк, Е. В. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Колос, В. В. | |
| dc.contributor.author | Зубова, О. А. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:51Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:51Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 152-154. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304306 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids | |
| dc.description.abstract | Исследованы спектры нарушенного полного внутреннего отражения в диапазоне волновых чисел 400-4000 см-1 облученных электронами пленок негативного новолачного фоторезиста NFR 016D4, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Облучение электронами с энергией 5 МэВ выполнялось на линейном ускорителе У-003 дозой до 2·10 15 cм-2. Установлено, что облучение приводит к снижению интегрального поглощения в диапазоне волновых чисел 3700-400 см-1, наиболее выраженному в тонких пленках фоторезиста. Радиационная стойкость негативных фоторезистов NFR 016D4 существенно ниже, чем позитивных новолачных ФР . В процессе облучения наблюдалось перераспределение интенсивностей между максимумами полос НПВО, связанных с колебаниями С-О-С связей и С-О- связей в фенолах | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Радиационно-индуцированные процессы в пленках негативного фоторезиста на монокристаллическом кремнии | |
| dc.title.alternative | Radiation-induced processes in negative photoresist films on single-crystal silicone / D.I. Brinkevich, E.V. Grinyuk, V.S. Prosolovich, V.V. Kolos, O.A. Zubova | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The spectra of attenuated total reflection in the wavenumber range 400-4000 cm-1 of electron-irradiated films of negative novolak photoresist NFR 016D4 deposited on single-crystal silicon wafers by centrifugation are studied. The films were irradiated by electrons with energy of 5 MeV on a U-003 linear electron accelerator at doses up to 2·10 15 cm-2. The density of the electron beam 1·10 12 cm-2 ·s-1 was monitored by means of a Faraday cylinder. The temperature of the samples in the process was not higher than 310 K. It has been established that irradiation leads to a decrease in the integral absorption in the range of wave numbers 3700–400 cm-1, which is most pronounced in thin photoresist films. The radiation resistance of negative NFR 016D4 photoresist is significantly lower than that of positive novolac photoresists. During irradiation, a redistribution of intensities between the maxima of the ATR bands associated with vibrations of C-O-C bonds and C-O- bonds in phenols was observed . Experimental regularities of changes in optical characteristics of thin photoresist films irradiated with electrons were explained with respect to peculiarities of radiation chemistry of diazoquinon-novolac resins | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 152-154.pdf | 355,47 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.