Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304282
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Borzdov, A. V. | |
dc.contributor.author | Borzdov, V. M. | |
dc.contributor.author | Petlitsky, A. N. | |
dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:47Z | - |
dc.date.available | 2023-11-03T13:27:47Z | - |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 30-32. | |
dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304282 | - |
dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of radiation and plasma interaction with solids | |
dc.description.abstract | Ensemble Monte Carlo simulation of current photoresponse in silicon photodiode with p-n-junction under the effect of picosecond pulses of laser irradiation at 532 nm wavelength has been performed. The diode current photoresponse on the pulses of laser irradiation with 5·10 10 W/m2 power density has been simulated for the lattice temperature of 300 K. The diode structures with different doping densities of p- and n- regions have been studied | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Минск : БГУ | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Monte Carlo Simulation of Current Photoresponce in Silicon Photodiode | |
dc.type | conference paper | |
Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.