Электронно-лучевой синтез в форвакууме и магнитные свойства тонкопленочного никелевого покрытия

Abstract

Тонкие магнитные пленки находят широкое применение в различных электронно-вычислительных устройствах. Для повышения долговечности магнитного слоя выглядит перспективным нанесение поверх него тонкого слоя защитного электрически непроводящего покрытия, такого как бор или оксид алюминия. Одним из перспективных методов осаждения таких магнито-диэлектрических покрытий является электронно-лучевое испарение в форвакууме, позволяющее с одинаковой эффективностью испарять как электрически проводящие материалы, так и диэлектрики. В данной работе приводятся результаты эксперимента по электронно-лучевому осаждению тонких пленок магнитного вещества (никеля) в атмосфере инертного газа – гелия в форвакууме (2-3 Па). Оценка методом ферромагнитного резонанса (ФМР) показала, что магнитные свойства пленок улучшаются с увеличением толщины магнитного слоя пропорционально времени осаждения покрытия, но вместе с тем, существует проблема термической деформации подложки и покрытия вследствие теплового излучения с мишени