Получение ультратонких контактов на поверхности полупроводников

Ташмухамедова, Д. А.; Абдуваитов, А. А.; Юсупжанова, М. Б.; Болтаев, Х. Х.; Умирзаков, Б. Е.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/304244

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Ташмухамедова, Д. А.
dc.contributor.author	Абдуваитов, А. А.
dc.contributor.author	Юсупжанова, М. Б.
dc.contributor.author	Болтаев, Х. Х.
dc.contributor.author	Умирзаков, Б. Е.
dc.date.accessioned	2023-11-03T13:27:41Z	-
dc.date.available	2023-11-03T13:27:41Z	-
dc.date.issued	2023
dc.identifier.citation	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 452-454.
dc.identifier.issn	2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn	2706-9060 (Online)
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/304244	-
dc.description	Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation
dc.description.abstract	Впервые с использованием метода низкоэнергетической ионной бомбардировки на поверхности CdS получены ультратонкие омические контакты. Изучены профили распределения атомов контактирующего металла (никеля) по глубине чистого CdS и CdS, бомбардированного ионами Ba+ и Ar+. Показано, что ионная бомбардировка приводит к уменьшению при контактного (переходного) слоя в два и более раза и составляет ~ 100-120 Å. При этом удельное сопротивление ρ этого слоя не превышало 2-2.5 мкОм·см. Уменьшение толщины переходного слоя и ρ объясняется образованием при ионной бомбардировке на поверхности CdS тонкого (30-40 Å) металлического слоя
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Получение ультратонких контактов на поверхности полупроводников
dc.title.alternative	Obtaining ultrathin contacts on the surface of semiconductors / Dilnoza Tashmukhamedova, Akbar Abduvayitov, Mahsuna Yusupjanova, Khurshid Boltaev, Baltohodja Umirzakov
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	For the first time, ultrathin ohmic contacts have been obtained on the surface of CdS using the method of low-energy ion bombardment. The distribution profiles of atoms of the contacting metal (nickel) over the depth of pure CdS and CdS bombarded with Ba + and Ar + ions have been studied. It is shown that ion bombardment leads to a decrease in the near-contact (transition) layer by a factor of two or more and is ~ 100-120 Å. At the same time, the resistivity ρ of this layer did not exceed 2-2.5 μΩ·cm. The decrease in the thickness of the transition layer and ρ is explained by the formation of a thin (30-40 Å) metal layer on the CdS surface during ion bombardment
Appears in Collections:	2023. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
452-454.pdf		301,53 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar