Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304244Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ташмухамедова, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Абдуваитов, А. А. | |
| dc.contributor.author | Юсупжанова, М. Б. | |
| dc.contributor.author | Болтаев, Х. Х. | |
| dc.contributor.author | Умирзаков, Б. Е. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:41Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:41Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 452-454. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304244 | - |
| dc.description | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation | |
| dc.description.abstract | Впервые с использованием метода низкоэнергетической ионной бомбардировки на поверхности CdS получены ультратонкие омические контакты. Изучены профили распределения атомов контактирующего металла (никеля) по глубине чистого CdS и CdS, бомбардированного ионами Ba+ и Ar+. Показано, что ионная бомбардировка приводит к уменьшению при контактного (переходного) слоя в два и более раза и составляет ~ 100-120 Å. При этом удельное сопротивление ρ этого слоя не превышало 2-2.5 мкОм·см. Уменьшение толщины переходного слоя и ρ объясняется образованием при ионной бомбардировке на поверхности CdS тонкого (30-40 Å) металлического слоя | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Получение ультратонких контактов на поверхности полупроводников | |
| dc.title.alternative | Obtaining ultrathin contacts on the surface of semiconductors / Dilnoza Tashmukhamedova, Akbar Abduvayitov, Mahsuna Yusupjanova, Khurshid Boltaev, Baltohodja Umirzakov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | For the first time, ultrathin ohmic contacts have been obtained on the surface of CdS using the method of low-energy ion bombardment. The distribution profiles of atoms of the contacting metal (nickel) over the depth of pure CdS and CdS bombarded with Ba + and Ar + ions have been studied. It is shown that ion bombardment leads to a decrease in the near-contact (transition) layer by a factor of two or more and is ~ 100-120 Å. At the same time, the resistivity ρ of this layer did not exceed 2-2.5 μΩ·cm. The decrease in the thickness of the transition layer and ρ is explained by the formation of a thin (30-40 Å) metal layer on the CdS surface during ion bombardment | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 452-454.pdf | 301,53 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.