Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304239Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Полонский, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:40Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:40Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 433-435. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304239 | - |
| dc.description | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты измерения фотоэлектрических характеристик гетеропереходов n-3С-SiC/n-Si в спектральном диапазоне 379-940 нм. Гетероструктуры с изотипным гетеропереходом n-3С-SiC/n-Si выращивали методом молекулярно-лучевой эпитаксии при 950 °С. Установлено, что вольт-амперная характеристика указанной структуры является выпрямляющей с фактором неидеальности 1.5 и током насыщения порядка 1.3 мкА/см2. Показано, что облучение светом на длине волны 379 нм приводит к увеличению тока утечки до 0.26·мА/см2, а облучение на длине волны 940 нм до 14 мА/см2, что указывает на возможность использования гетероструктур типа n-3С-SiC/n-Si для создания многоспектральных фотодекторов. Результаты исследований спектральной зависимости фотопроводимости интерпретированы с учетом возможной диаграммы энергетических зон гетерострутктуры 3С-SiC/Si | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (№ ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-3C-SiC/n-Si | |
| dc.title.alternative | Photoelectric characteristics of the n-3С-SiC/n-Si heterojunction / M.V. Palonski, M.V. Lobanok, P.I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of measuring the photoelectric characteristics of SiC/Si heterojunctions in the spectral range 379-940 nm are presented. Heterostructures with the n-3C-SiC/n-Si isotype heterojunction were grown by molecular beam epitaxy at 950°C. It has been established that carrent-voltage characteristics of this structure has rectifier behavior with a nonideality factor of 1.5 and saturation current of about 1.3 μA/cm2. It is shown that irradiation with light at a wavelength of 379 nm leads to an increase in the leakage current up to 0.26 mA/cm2, and irradiation at a wavelength of 940 nm up to 14 mA/ cm2, which indicates the possibility of using heterostructures of the n-3C-SiC/n-Si to create multispectral photodetectors. The results of studying the spectral dependence of photoconductivity are interpreted taking into account the possible diagram of the energy bands of the 3С-SiC/Si heterostructure | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 433-435.pdf | 374,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.