Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304226Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Королев, Д. С. | |
| dc.contributor.author | Матюнина, К. С. | |
| dc.contributor.author | Никольская, А. А. | |
| dc.contributor.author | Крюков, Р. Н. | |
| dc.contributor.author | Белов, А. И. | |
| dc.contributor.author | Михайлов, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Сушков, А. А. | |
| dc.contributor.author | Павлов, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Тетельбаум, Д. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:37Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:37Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 398-400. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304226 | - |
| dc.description | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation | |
| dc.description.abstract | Проведено исследование состава, фотолюминесцентных свойств и структуры образцов SiO2/Si и Al2O3/Si, облученных ионами галлия и кислорода с последующим отжигом с целью ионно-лучевого синтеза нанокристаллических включений Ga2O3 в твердотельных матрицах. Показано, что свойства синтезированных образцов существенно зависят от режимов ионного облучения и постимплантационного отжига. Исследование химического состава показало формирование связей Ga-O в образцах даже в отсутствие отжига, и увеличение концентрации окисленного галлия в случае образцов SiO2/Si после отжига. На спектрах фотолюминесценции обнаруживается полоса в области 400-550 нм, предположительно связываемая с рекомбинацией донорно-акцепторных пар в нанокристаллах Ga2O3. Методом просвечивающей электронной микроскопии подтверждено формирование нанокристаллов Ga2O3 в облученных образцах после отжига при температуре 900 ºС | |
| dc.description.sponsorship | Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 21-79-10233, https://rscf.ru/project/21-79-10233/. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Исследование свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия | |
| dc.title.alternative | Investigation of the properties of ion-synthetized gallium oxide nanoinclusions / D.S. Korolev, K.S. Matyunina, A.A. Nikolskaia, R.N. Kriukov, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, A.A. Sushkov, D.A. Pavlov, D.I. Tetelbaum | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The composition, photoluminescent properties, and structure of SiO2/Si and Al2O3/Si samples irradiated with gallium and oxygen ions followed by annealing for the ion synthesis of nanocrystalline Ga2O3 inclusions in solid matrices have been studied. It is shown that the properties of the synthesized samples significantly depend on the regimes of ion irradiation and post-implantation annealing. The study of the chemical composition showed the formation of Ga-O bonds in the samples even in the absence of annealing, and an increase in the concentration of oxidized gallium in the case of SiO2/Si samples after annealing. The photoluminescence spectra show a band in the region of 400-550 nm, presumably associated with the recombination of donor-acceptor pairs in gallium oxide nanocrystals. High-resolution transmission electron microscopy confirmed the formation of gallium oxide nanocrystals in irradiated samples after annealing at 900 ºС | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 398-400.pdf | 459,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.