Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304215Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:35Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:35Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 366-368. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304215 | - |
| dc.description | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation | |
| dc.description.abstract | Сформированы нанопрофилированные поверхности кремния для последующего выращивания гетероэпитаксиальных слоев с высоким несоответствием параметров кристаллических решеток. Формирование профилированных буферных поверхностей проводили с использованием термического испарения или анодного травления самоорганизованных ячеистых SiGe структур. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано формирование островковой структуры с высотой островков до 500 нм и их поперечным сечением 200-300 нм, разделенных канавками шириной 3-30 нм. Показано, что нанопрофилированные буферные слои пригодны для выращивания эпитаксиальных слоев SiC | |
| dc.description.sponsorship | Исследования проводили при финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т22-030 и проекта ГПНИ (№ Г/Р 20212702). Автор выражает благодарность Ивлеву Г.Д., Прокопьеву С.Л., Новикову А.Г. и Лобанку М.В. за помощь при проведении эксперимента. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Лазерно-индуцированные ячеистые наноструктуры как платформа для гетероэпитаксии SiC/Si | |
| dc.title.alternative | Laser-induced cellular nano-structures: a platform for SiC/Si heteroepitaxy / Peter Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Structural changes and segregation in SiGe alloy layers during laser-induced melting and fast crystallization are investigated. A special attention is devoted to formation of nanometer-scale cellular network. Initial structures of SiGe were grown by MBE. The samples were then treated by pulsed laser beam (25-100 ns, 0.2-3.5 J/cm2); time-resolved reflectivity measurements of melting, crystallization and segregation are proceeded. The structure, composition and optical properties of SiGe layers are studied by electron microscopy. A new approach for nano-profiling of the surface is proposed and implemented. The approach consists of pulsed laser melting of SiGe layers, self-organized formation of a cellular nanostructure followed by selective etching of Ge out of walls of the cells. The regimes of laser melting and anodic or thermal etching are achieved, in which the formation of epitaxial Si columns (200-300 nm in diameter and 500 nm in height), separated by grooves of 3-30 nm wide takes place. The nano-profiled SiGe/Si surface is finally applied for high-temperature growth of epitaxial SiC layers | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 366-368.pdf | 404,63 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.