Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304207Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Щемеров, И. В. | |
| dc.contributor.author | Лагов, П. Б. | |
| dc.contributor.author | Кобелева, С. П. | |
| dc.contributor.author | Кирилов, В. Д. | |
| dc.date.accessioned | 2023-11-03T13:27:34Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-03T13:27:34Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 341-343. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304207 | - |
| dc.description | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation influence on the structure and properties of materials | |
| dc.description.abstract | Проведено исследование изменения времени восстановления обратного тока в выпрямительных диодах на основе монокристаллического кремния после облучения структуры высокоэнергетическими электронами. С увеличением флюенса облучения от 10 14 до 10 15 см-2 время восстановления обратного тока падает от единиц милисекунд до десятков микросекунд. При этом параллельно с ускорением переходных характеристик структуры стремительно деградируют. Ток насыщения возрастает на два порядка: с 7·10 -9 А/см2 до 8·10 -9 А/см2, а последовательное сопротивление растет с 0.5 до 90 Ом. Показано, что измерение зависимости емкости от частоты позволяет оценить пределы оптимизации структур: частота, на которой емкость равна ½ от стационарной с облучением растет, выходя на максимум, после чего существенно снижается из-за деградации проводимости. Это может выступать важным критерием при радиационной оптимизации полупроводниковых приборов | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке гранта президента РФ, соглашение №075-15-2022-581. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Оптимизация переходных характеристик выпрямительных диодов путем облучения высокоэнергетическими электронами | |
| dc.title.alternative | Optimization of the transient characteristics of the rectifyers under high-energy electron irradiation / Ivan Schemerov, Petr Lagov, Svetlana Kobeleva, Viktor Kirilov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Measurements of the current-voltage, capacitance-voltage, capacitance-frequency characteristics and reverse recovery profiling were provided for silicon-based rectifiers. P-n-junction rectifiers were irradiated by 5 MeV electrons with fluxes from 10 14 to 10 15 cm-2. It is shown that after 5 MeV electron irradiation reverse-recovery time decreases and this decreasing changes monotonously with irradiation dose (from 2.2 ms to 15 us for 10 15 cm-2). At the same time series resistance increases dramatically (from 0.5 to 90 Ω) that indicates strong degradation of the high-frequency properties. We can use next criteria for optimal radiation dose: the irradiation level associated with the maximum of boundary frequency indicates the optimum in terms of switching speed. Before this dose maximum frequency is limited by reverse-recovery time of diode. After this dose the limiting factor is the relaxation time of RC-circuit, where R is the series resistance of the diode, C – capacitance of the SRC-region | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 341-343.pdf | 394,76 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.