Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302513Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | |
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | |
| dc.contributor.author | Ермакова, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | |
| dc.contributor.author | Ломако, В. М. | |
| dc.date.accessioned | 2023-10-02T06:47:25Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-02T06:47:25Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 281-283. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302513 | - |
| dc.description | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния | |
| dc.description.abstract | Исследовались структуры Al/Si3N4/n-Si, облученные ионами гелия флюенсом 10 11 см−2 (кинетическая энергия иона 5 МэВ). Регистрировались спектры DLTS, т.е. зависимости емкости от температуры, а также изотермические вольт-фарадные характеристики. Установлено, что варьирование электрического напряжения заполнения и напряжения эмиссии позволяет независимо регистрировать сигналы DLTS как от центров, локализованных на границе раздела Si3N4/n-Si, так и от радиационных дефектов в глубине кремния. Показано, что облучение ионами гелия приводит как к генерации дивакансий и комплексов вакансия-кислород и вакансия-фосфор, так и к увеличению концентрации дефектов на границе раздела | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии». | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 281-283.pdf | 377,6 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.