Магнитные туннельные переходы на основе Sr2FeMoO6-δ

Abstract

Перспективными материалами для применения в устройствах спинтроники при комнатной температуре на основе магнитных туннельных переходов являются тонкие пленки ферромолибдата стронция (Sr2FeMoO6-δ, SFMO). Такие устройства являются альтернативой КМОП транзисторам при использовании в энергонезависимой памяти, компараторах, аналого-цифровых преобразователях и магнитных датчиках. Для успешного практического использования таких устройств необходимо решить, в частности, следующие задачи: 1) выбор соответствующего материала туннельного барьера; 2) увеличение значения магнитосопротивления в слабых магнитных полях тонких пленок SFMO. Показано, что 1) в устройствах с магнитными туннельными переходами на основе SFMO предпочтительно использование барьерных материалов с более низкой эффективной электроотрицательностью, чем у SFMO; 2) антифазные границы вдоль оси роста пленок увеличивают значение отрицательного слабополевого магнитосопротивления, так как в отсутствии магнитного поля уменьшается рассеяние носителей заряда