Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2022. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292884
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorЖивулько, В. Д.
dc.contributor.authorБородавченко, О. М.
dc.contributor.authorГацак, А. В.
dc.contributor.authorЗиновьев, В. А.
dc.contributor.authorСмагина, Ж. В.
dc.contributor.authorЗиновьева, А. Ф.
dc.contributor.authorДвуреченский, А. В.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:07:09Z-
dc.date.available2023-01-26T10:07:09Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 471-476.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292884-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПри температуре 4,2 K исследована фотолюминесценция многослойных наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, созданными при обычной молекулярнолучевой эпитаксии и эпитаксии из ионно-молекулярных пучков Ge+. Установлено, что облучение ионами Ge+ в процессе зарождения наноостровков Ge на Si приводит к увеличению интенсивности полосы фотолюминесценции в области энергии ~ 0,81 эВ и стабилизации ее спектрального положения. Обсуждается возможный механизм излучательной рекомбинации носителей заряда в наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge
dc.description.sponsorshipРабота выполнена по программе ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма 8.2 (задание 2.2.1)
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФотолюминесценция наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
dc.title.alternativePhotoluminescence of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots / A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, A. V. Hatsak, V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. V Dvurechenskii
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe photoluminescence of multilayer Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots produced by conventional molecular-beam epitaxy and epitaxy from Ge+ ion-molecular beams was been studied at a temperature 4.2 K. It has been found that the irradiation with Ge+ ions during the nucleation of Ge nanoislands on Si leads to an increase in the intensity of the photoluminescence band in the energy region ~ 0.81 eV and stabilization of its spectral position. A possible mechanism of radiative recombination of charge carriers in Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots is discussed
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
471-476.pdf913,23 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.