Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292883Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:08Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:08Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 467-471. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292883 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Приведены результаты моделирования свойств графена, модифицированного атомами водорода. Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Использование графена и его различных модификаций с добавление атомов – водорода, фтора и других химических элементов, позволяет разрабатывать полупроводниковые приборы и устройства с улучшенными выходными характеристиками. Путем моделирования из первых принципов получены основные характеристики материала графана, модификации графена с использованием атомов водорода, – зонная диаграмма, зависимости общей интенсивности рассеивания носителей заряда от величины энергии. Полученные зависимости и параметры графана могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои графена и других полупроводниковых материалов | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами водорода | |
| dc.title.alternative | Modeling from first principles of the properties of graphene modified by hydrogen atoms / V. N. Mishchenka | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of modeling the properties of graphene modified by hydrogen atoms are presented. Graphene is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices for different frequency ranges. The use of grapheme and its various modifications with the addition of atoms - hydrogen, fluorine and other chemical elements, allows to develop semiconductor devices and devices with improved output characteristics. By modeling from first principles, the main material characteristics of graphene, modifications of graphene with the use of hydrogen atoms, - the band diagram, the dependence of the total intensity of charge carrier scattering on the energy value were obtained. The obtained dependences and parameters of graphene can serve as a basis for the creation of new heterostructured devices containing layers of graphene and other semiconductor materials | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 467-471.pdf | 1,06 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.