Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292852Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Щербакова, И. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:02Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:02Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 330-334. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292852 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | В докладе рассмотрено моделирование полевых графеновых транзисторов на двухслойном графене и гетероструктур на основе 2D-материалов с вертикальным транспортом. Для моделирования транзисторов на двухслойном графене в квантовой диффузионно-дрейфовой модели использовался предложенный метод расчета квантовой емкости. Приведены результаты моделирования вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе GaN/AlGaN с вертикальным транспортом с использованием предложенной комбинированной модели. Модель основана на численном решении уравнений Шредингера и Пуассона в активной области прибора. Рассмотрены случаи барьеров AlGaN различной толщины и различных ширин GaN квантовой ямы. Все расчеты проведены с помощью системы моделирования наноэлектронных приборов NANODEV, разрабатываемой в БГУИР с 1995 года | |
| dc.description.sponsorship | Работа подготовлена по результатам исследования, проведенного в рамках Государственных программ научных исследований Республики Беларусь "Конвергенция"и "Микроэлектроника" | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование приборных структур на основе двухслойного графена и других 2D-материалов с помощью системы NANODEV | |
| dc.title.alternative | Simulation of device structures based on bilayer graphene and other 2D-materials with the use of system NANODEV / I. I. Abramov, V. A. Labunov, N. V. Kalameitsava, I. Y. Shcherbakova | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In the paper simulation of field-effect transistors based on bilayer graphene and heterostructures based on 2D-materials with vertical transport has been carried out. The proposed method for calculating the quantum capacitance was used to simulate transistors based on two-layer graphene in the quantum diffusion-drift model. The report presents the simulation results of IV-characteristics of resonant tunneling diodes (RTDs) based on GaN/AlGaN with vertical transport using the proposed numerical combined model. The model is based on the numerical solution of the Schredinger and Poisson equations in the active region of the device. Cases with AlGaN barriers of various thicknesses and GaN quantum wells of various widths are considered. All calculations were carried out using the NANODEV nanoelectronic devices simulation system, which has been developed at BSUIR since 1995 | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 330-334.pdf | 572,4 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.