Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292851
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАбдурахманов, Г.
dc.contributor.authorВохидова, Г. С.
dc.contributor.authorДехконов, А.
dc.contributor.authorТурсунов, М.
dc.contributor.authorГалиулин, Р.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:07:02Z-
dc.date.available2023-01-26T10:07:02Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 325-330.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292851-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractИсследована температурная зависимость удельного сопротивления ρ(T) и коэффициента термоЭДС S(T) свинцово-силикатного стекла, легированного двуокисью рутения (ЛСС), а также рентгенограммы этих стекол при температурах до 1123 К. Показано, что ЛСС является уникальным материалом, в котором при повышении T от гелиевых до 1100 К последовательно наблюдаются два перехода металл-изолятор. Первый переход изолятор-металл (T < 700 К) плавный и после него часто наблюдается «металлическая» проводимость ρ(T) ~ Tν, 1 ≤ ν ≤ 2, и S(T) ≈ 15–20 мкВ/К. Второй переход – металл-изолятор (700 К < T < 1000 К) – резкий, сопровождаемый полупроводниковым состоянием с энергией активации 0,5-1,5 эВ в зависимости от состава стекла, а S(T) возрастает до 1,7 мВ/К. Предполагается, что первый переход обусловлен электрон-фононной связью, приводящей к слиянию примесной зоны с валентной зоной стекла, а второй - структурными переходами нанокристаллов силикатов в стекле. Размеры нанокристаллов, претерпевающих структурные переходы, не превышают 1-2 нм
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке Министерства инновационного развития Узбекистана (гранты БФ-2-017 и Uzb-Ind-2021-78)
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleДвойной переход металл-диэлектрик в свинцово-силикатном стекле, легированном RuO2
dc.title.alternativeDouble metal-dielectric transitions in the lead-silicate glass, doped by RuO2 / G. Abdurakhmanov, G. Vokhidova, A. Dekhkonov, M. Tursunov, R. Galiulin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe temperature dependences of electrical resistivity ρ(T) and thermopower S(T) of lead-silicate glass doped by ruthenium dioxide (DLSG) as well as X-ray diffraction patterns up to 1123 K have been investigated. It was found that DLSG is a unique material in which, as T increases from helium to 1000 K, two metal-insulator transitions are successively observed. The first insulator-metal transition (T < 700 K) is smooth and followed by “metallic” conductivity ρ(T) ~ Tν, 1 ≤ ν ≤ 2 and S(T) ≈ 15-20 μV/K. The second transition - metal-insulator (700 K < T < 1100 K) – is sharp and followed by semiconducting state, having activation energy 0.5–1.5 eV as consequence of glass composition, S(T) increases up to 1.7 mV/K. It is assumed that first transition originated from electron-phonon coupling, which leads to the merging of the impurity band with the glass valence band, while the second one is due to structural transitions of silicate nanocrystals in glass. The sizes of nanocrystals undergoing structural transitions do not exceed 1–2 nm
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
325-330.pdf526,44 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.