Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292848Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Хомич, А. А. | |
| dc.contributor.author | Хмельницкий, Р. А. | |
| dc.contributor.author | Козлова, М. В. | |
| dc.contributor.author | Hu, X.-J. | |
| dc.contributor.author | Хомич, А. В | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:01Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:01Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 310-315. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292848 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Исследованы спектры фотолюминесценции природных алмазов, имплантированных ионами гелия с набором энергий и доз, обеспечивающих однородное радиационное повреждение в приповерхностном слое алмазов. Показано, что гелий в радиационно-модифицированном алмазе формирует многочисленные дефектные комплексы, проявляющиеся в виде довольно узких линий в спектрах люминесценции и что состав и концентрация этих дефектных центров изменяются при повышении температуры вакуумного отжига образцов. Обнаружено, что наиболее интенсивные линии с максимумами вблизи 536 и 561 нм (HR1 и HR2) имеют различающиеся зависимости от интенсивности возбуждающего излучения, что позволило выделить спектральную форму фононных крыльев полос HR1 и HR2 | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Инженерия дефектов в алмазе при имплантации ионами гелия | |
| dc.title.alternative | Defect engineering in helium implanted diamondsg / A. A. Khomich, R. A. Khmelnitsky, M. V. Kozlova, X.-J. Hu, A. V. Khomich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The photoluminescence spectra of natural diamonds implanted with helium ions with a set of energies and doses that ensure uniform radiation damage in the near-surface layer of diamonds are studied. It is shown that helium in radiation-modified diamond forms numerous defect complexes, which appear as rather narrow lines in the luminescence spectra, and that the composition and concentration of these defect centers change with an increase in the vacuum annealing temperature of the samples. It was found that the most intense lines with maxima near 536 and 561 nm (HR1 and HR2) have different dependences on the intensity of the exciting radiation, which made it possible to distinguish the spectral shape of the HR1 and HR2 phonon sidebands | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 310-315.pdf | 970,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.