Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292847Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Толстихина, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Гайнутдинов, Р. В. | |
| dc.contributor.author | Лашкова, А. К. | |
| dc.contributor.author | Золотов, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Рощин, Б. С. | |
| dc.contributor.author | Шут, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Мозжаров, С. Е. | |
| dc.contributor.author | Кашевич, И. Ф. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:01Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:01Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 305-310. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292847 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Путем периодического доращивания затравки кристалла в растворах разного состава получены кристаллы триглицинсульфата, послойно легированные неизоморфной примесью ионов хрома (TGS-TGS+Cr). Впервые методами рентгенофлуоресцентного анализа исследовано пространственное распределение примесного состава кристаллов триглицинсульфата TGS-TGS+Cr с ростовой периодической примесной структурой. Установлено, что примесь в кристалле распределена по синусоидальному закону. Выявлена корреляция образования регулярной доменной структуры и характера распределения примеси для слоистых кристаллов TGS-TGS+Cr. Формирование доменных стенок происходит преимущественно на участках, соответствующих изменению градиента концентрации примеси, причем в местах изменения знака с положительного на отрицательный формируются гладкие стенки, а с отрицательного на положительный – граница доменов имеет изрезанный, неровный контур | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Распределение примесей хрома в легированных слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS | |
| dc.title.alternative | Chromium impurity distributions in doped layered ferroelectric TGS crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova, D. A. Zolotov, B. S. Roschin, V. N. Shut, S. E. Mozzharov, I. F. Kashevich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Triglycine sulfate crystals layer-by-layer doped with a non-isomorphic impurity of chromium ions (TGS-TGS+Cr) were obtained by periodically growing the crystal seed in solutions of different compositions. For the first time, the spatial distribution of the impurity composition of triglycine sulfate TGS-TGS+Cr crystals with a growth periodic impurity structure has been studied by X-ray fluorescence analysis. It is established that the impurity in the crystal is distributed according to a sinusoidal law. A correlation was found between the formation of a regular domain structure and the nature of the impurity distribution for layered TGS-TGS+Cr crystals. The formation of domain walls occurs mainly in areas corresponding to a change in the impurity concentration gradient, and in places where the sign changes from positive to negative, smooth walls are formed, and from negative to positive, the domain boundary has a rough, uneven contour | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 305-310.pdf | 455,12 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.