Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292838Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Лемешевская, А. М. | |
| dc.contributor.author | Цымбал, В. С. | |
| dc.contributor.author | Кетько, А. В. | |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:59Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:59Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 268-274. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292838 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования влияния гамма-излучения Со60 на темновой ток кремниевых фотоэлектронных умножителей (Si ФЭУ). Активные ячейки Si ФЭУ представляли собой оптически изолированные друг от друга р+ – n – n+ -структуры. Оптическая изоляция ячеек осуществлялась канавками, которые после пассивации стенок слоями SiО2 и Si3N4 заполнялись вольфрамом. Вывод металла канавки электрически соединялся с n+ -областью ячейки. Установлено, что наиболее сильные изменения обратной вольтамперной характеристики наблюдаются у образцов Si ФЭУ, облучаемых в активном электрическом режиме. Показано, что изменения темнового тока с ростом поглощенной дозы носят немонотонный характер. Полученные результаты объясняются влиянием электрического поля на величину выхода дырочного заряда в диэлектрических слоях канавок | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние гамма-квантов на темновой ток кремниевых фотоумножителей с оптической изоляцией ячеек | |
| dc.title.alternative | Influence of gamma rays on the dark current of optically insulated silicon photomultipliers / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskij, A. M. Lemeshevskaja, V. S. Tsymbal, A. V. Ket’ko, S. V. Shpakovskiy | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of experimental studies of dark current of p+ –n–n+ -silicon photomultiplier (SiPM) with optical isolation of cells by metallized trenches under the influence of gamma radiation of Co60 are presented. Optical isolation of the cells was performed by trenches, which were filled with tungsten after passivation of the walls with layers of SiO2 and Si3N4. The output of the trench metal was electrically connected to the n+ -region of the cell. It was found that the strongest changes in the reverse current-voltage characteristic were observed for SiPM samples irradiated in the active electrical mode. It is shown that the changes in the dark current with an increase in the absorbed dose are non-monotonic in nature. The results obtained can be explained by the influence of the electric field on the hole charge yield in the dielectric layers of the trenches | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 268-274.pdf | 1,04 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.