Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2022. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292833
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГоловчук, В. И.
dc.contributor.authorБумай, Ю. А.
dc.contributor.authorВеличка, А. Д.
dc.contributor.authorЛукашевич, М. Г.
dc.contributor.authorЛядов, Н. М.
dc.contributor.authorФайзрахманов, И. А.
dc.contributor.authorХайбуллин, Р. И.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:58Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:58Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 244-249.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292833-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractВ работе представлены результаты экспериментального исследования и интерполяции температурных зависимостей сопротивления нанокристаллических пленок железа, полученных на кремниевых подложках методом ионно-ассистированного осаждения. Показано, что в низкотемпературном интервале (5 K < Т < 35 K) увеличение сопротивления при понижении температуры обусловлено размерно-зависимыми процессами слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия. Процессы электрон-электронного взаимодействия остаются трехмерными при понижении температуры, в то время как процессы слабой локализации показывают переход к двумерному транспорту при Т ≈ 20К, обусловленный превышением характеристической длины слабой локализации толщины пленки
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleНизкотемпературная проводимость тонких нанокристаллических пленок железа: сильная или слабая локализация?
dc.title.alternativeLow-temperature conductivity of thin nanocrystalline iron films: strong or weak localization? / V. I. Golovchuk, Yu. A. Bumai, M. G. Lukashevich, N. M. Lyadov, I. A. Faizrakhmanov, R. I. Khaibullin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe paper presents the results of an experimental study and interpolation of the temperature dependences of the resistance of nanocrystalline iron films obtained on silicon substrates by ion-assisted deposition. It is shown that in the low-temperature range (5 K < T < 35 K) the increase in resistance with decreasing temperature is due to size-dependent processes of weak localization and electron-electron interaction. The processes of electron-electron interaction have a three-dimensional character with decreasing temperature, while the processes of weak localization show a transition from a three-dimensional to a two-dimensional electronic transport at T ≈ 20 K, due to the excess the weak localization characteristic length the film thickness
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
244-249.pdf626,08 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.