Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292818
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПрокопьев, С. Л.
dc.contributor.authorЗайков, В. А.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:56Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:56Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 184-187.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292818-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractМетодами измерения вольтамперных характеристик обнаружено, что после воздействия импульсов длительностью 80 нс лазерного излучения на длине волны 0,69 мкм с плотностью энергии 0,82–1,4 Дж/см2 на поликристаллические слои Si/SiGe толщиной 230–270 нм, наблюдается увеличение силы прямого тока в указанных слоях
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleЭлектрофизические характеристики приборных структур на основе нанометровых поликристаллических слоев SiGe после импульсной лазерной обработки
dc.title.alternativeElectrophysical characteristics of poly-SiGe based device structures after pulsed laser irradiation / S. L. Prakopyeu, V. A. Zaikov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeUsing methods of current-voltage characteristics measurement, it was found the current increase in the polycrystalline 200–300 nm thick SiGe layers after pulsed laser irradiation (80 ns pulse duration at a wavelength of 0.69 μm) and an energy density of 0.82–1.4 J/cm2
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
184-187.pdf481,6 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.