Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292813
Title: Влияние уровня легирования и ретикулярной плотности исходных кремниевых пластин на их оптические характеристики после быстрой термообработки
Other Titles: Effect of doping level and reticular density of initial silicon wafers on their optical characteristics after rapid thermal processing / A. A. Omelchenko, V. A. Solodukha, V. A. Pilipenko
Authors: Омельченко, А. А.
Солодуха, В. А.
Пилипенко, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2022
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 157-163.
Abstract: Приведены результаты исследования методом спектральной эллипсометрии влияния быстрой термообработки (БТО) исходных кремниевых пластин (КДБ-12 ориентации <100 >, КДБ-10 ориентации <111> и КДБ-0,005 ориентации <100 >) различного уровня легирования и ретикулярной плотности на их оптические характеристики: коэффициенты преломления, поглощения. Подтверждено влияние ретикулярной плотности кремния на его оптические характеристики после БТО. Показано, уменьшение коэффициентов преломления и поглощения в центре зоны Бриллюэна для образцов кремния с высокой концентрацией бора после БТО по сравнению с низколегированным кремнием; в области пика максимума поглощения, соответствующего энергии выхода электрона с поверхности кремния (4.34 эВ) показатель преломления высоколегированного кремния становится выше, чем у низколегированного кремния, что обусловлено высокой концентрацией свободных носителей заряда на поверхности кремния в этом спектральном диапазоне. Установлено, что спектральная область 3.59–4.67 эВ, определяемая работой выхода электронов с поверхности кремния, более информативно показывает различие оптических параметров кремния различной ориентации, а для оценки влияния уровня легирования кремния на его оптические характеристики наиболее информативен спектральный диапазон 3.32–4.34 эВ
Abstract (in another language): The investigation results are presented by means of the spectral ellipsometry method of the rapid thermal processing (RTP) influence on the initial silicon wafers (KDB12 orientation <100>, KDB10 orientation <111> and KDB0.005 orientation<100>) of the various level of doping and reticular density influence on their optical characteristics: refraction and absorption ratios. Influence was confirmed of the silicon reticular density on its optical characteristics after the rapid thermal processing. It was shown, that reduction of the refraction and absorption ratios in the center of the Brillouin zone for the silicon samples with the high Boron concentration after the rapid thermal processing as compared with the low doped silicon; in the area of the maximum absorption peak, corresponding to the energy of the electron exit from the silicon surface (4.34 eV) the refraction indicator of the high doped silicon becomes higher, than of the low doped silicon, which is determined by the high concentration of the vacant charge carriers on the silicon surface in this spectral range. It was established, that the spectral area 3.59–4.67 eV, determined by the work of the electrons, exiting the silicon surface, in a more informative way shows the difference of the3 optical parameters of silicon of the different orientation, and for evaluation of influence of the silicon doping level on its optical characteristics the most informative is the spectral range of 3.32–4.34 eV
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292813
ISBN: 978-985-881-440-3
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2022. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
157-163.pdf947,16 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.