Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292797Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Илиев, Х. М. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Исамов, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Исаков, Б. О. | |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 89-93. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292797 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | В работе проведены расчеты профилей распределения примесей при диффузии атомов галлия и сурьмы в кремнии, дан сравнительный анализ совместной и последовательной диффузии данных атомов. Расчеты показали, что в процессе диффузии имеет место взаимодействие между собой двух легирующих компонентов, приводящее к изменению по сравнению с одиночной диффузией профилей распределения концентрации легирующих примесей в кремнии. Возможное влияние на коэффициенты диффузии примесей может оказывать также и изменение зарядового состояния вакансий при совместной диффузии двух примесей во время высокотемпературных обработок | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Расчет профилей распределения примесных атомов галлия и сурьмы при их совместной диффузии в кремнии | |
| dc.title.alternative | Calculating the distribution profiles of impurity gallium and antimony atoms during their co-diffusion in silicon / Kh. M. Iliev, V. S. Prosolovich, S. B. Isamov, B. O. Isakov, Yu. N. Yankovsky | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The distribution profiles of impurities in the diffusion of gallium and antimony atoms in silicon have been calculated and a comparative analysis of joint and sequential diffusion of these atoms has been performed. The calculations showed that in the process of diffusion the interaction of two dopant components takes place, resulting in a change in the concentration distribution profiles of dopant impurities in silicon as compared to single diffusion. Possible effect on the impurity diffusion coefficients can also be caused by the change in the charge state of vacancies during the joint diffusion of two impurities during high-temperature treatments | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.