Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292760
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorОлешкевич, А. Н.
dc.contributor.authorДолматов, В. Ю.
dc.contributor.authorЛапчук, Т. М.
dc.contributor.authorЛапчук, Н. М.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:45Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:45Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 490-494.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292760-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractМетодом ЭПР исследованы образцы детонационного наноалмаза, отожжённые при температурах 430, 650 и 900 °С. Изучались зависимости основных параметров спектров ЭПР от температуры отжига и от уровня мощности СВЧ излучения в резонаторе. Выявлены структурные перестройки в зависимости от температуры отжига. В ходе анализа данных косвенно было доказано наличие Р1-центра в исследуемых образцах
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleОтжиг парамагнитных дефектов в интервале температур 430–900 °C в образцах ДНА высокой степени очистки
dc.title.alternativeAnnealing of paramagnetic defects in the temperature interval 430–900 °C in highly purified bottom samples / A. N. Oleshkevich, V. Yu. Dolmatov, T. M. Lapchuk, N. M. Lapchuk
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeSamples of detonation nanodiamond annealed at temperatures of 430, 650, and 900 °C were studied by the EPR method. The dependences of the main parameters of the EPR spectra on the annealing temperature and on the power level of microwave radiation in the resonator were studied. Structural rearrangements depending on the annealing temperature are revealed. During the analysis of the data, the presence of the P1-center in the studied samples was indirectly proved
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
490-494.pdf435,4 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.