Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/285525
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАзарко, Игорь Иосифович-
dc.contributor.authorСидоренко, Юлия Владимировна-
dc.date.accessioned2022-08-18T11:45:27Z-
dc.date.available2022-08-18T11:45:27Z-
dc.date.issued2022-07-08-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/285525-
dc.description.abstractВ программе учебной дисциплины рассматриваются физические основы и математическое описание неравновесных процессов, определяющих принцип действия электронных приборов, процессы диффузии и дрейфа неравновесных носителей зарядов, их межзонной, поверхностной рекомбинации, рекомбинации с участием дефектов кристаллической решетки. Излагаются физические основы фотоэлектрических процессов, анализируется роль генерационно-рекомбинационных процессов в функционировании приборов полупроводниковой электроники. Рассмотрены контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Представлены базовые подходы к анализу спектральных зависимостей, люксамперных и переходных характеристик фототока в полупроводниках. Особое внимание уделено физическим процессам, протекающим в базовых элементах полупроводниковых приборов, механизмам прохождения тока в барьерных структурах. Рассматриваются физические принципы действия, конструкции и основные характеристики ряда дискретных электронных приборов: полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, диодов Шоттки. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах. Дисциплина изучается в 7 семестре. Форма текущей аттестации – экзамен.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроникиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроениеru
dc.titleФизика электронных приборов: неравновесные процессы: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 08 Компьютерная физика. № УД-10925/уч.ru
dc.typesyllabusru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Физика электронных приборов_неравновесные процессы.pdf501,91 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.