Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28270
Title: ВЛИЯНИЕ НЕЙТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФОТОМЕХАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ GaAs
Authors: Чирадзе, Г. Д.
Герасимов, А. Б.
Буачидзе, Д. Г.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2011
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Abstract: Исследованы дозовые зависимости значений темновых и световых (в процессе освещения белым светом) микро- твердостей кристаллов GaAs n – типа проводимости, предварительно облученных быстрыми нейтронами в диапазоне доз 1015÷1,25.1018 н/см2. Проведены так же сравнительные исследования временных зависимостей релаксации разме- ров отпечатков микротвердости для исходных и подвергнутых облучению образцов GaAs. Показано, что облученные образцы (по сравнению с исходными - необлученными) характеризуются повышенными значениями как темновых, так и световых микротвердостей, однако таким образом, что величина фотомеханического эффекта (определяемая как уменьшение значений темновых микротвердостей в процессе освещения) с ростом дозы облучения подвергается постепенному уменьшению. При этом в диапазоне доз 1015 ÷ 1017 н/см2 сравнительно слабее, чем в диапазоне доз 1017 ÷ 1,25.1018 н/см2. С качественной стороны аналогичным образом уменьшается время, необхо- димое для выдержки образцов под нагрузкой после прекращения освещения, учет которого необходим для корректной оценки величин световых микротвердостей.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28270
Appears in Collections:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Чирадзе.pdf277,46 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.