ВЛИЯНИЕ НЕЙТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФОТОМЕХАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛАХ GaAs

Abstract

Исследованы дозовые зависимости значений темновых и световых (в процессе освещения белым светом) микро- твердостей кристаллов GaAs n – типа проводимости, предварительно облученных быстрыми нейтронами в диапазоне доз 1015÷1,25.1018 н/см2. Проведены так же сравнительные исследования временных зависимостей релаксации разме- ров отпечатков микротвердости для исходных и подвергнутых облучению образцов GaAs. Показано, что облученные образцы (по сравнению с исходными - необлученными) характеризуются повышенными значениями как темновых, так и световых микротвердостей, однако таким образом, что величина фотомеханического эффекта (определяемая как уменьшение значений темновых микротвердостей в процессе освещения) с ростом дозы облучения подвергается постепенному уменьшению. При этом в диапазоне доз 1015 ÷ 1017 н/см2 сравнительно слабее, чем в диапазоне доз 1017 ÷ 1,25.1018 н/см2. С качественной стороны аналогичным образом уменьшается время, необхо- димое для выдержки образцов под нагрузкой после прекращения освещения, учет которого необходим для корректной оценки величин световых микротвердостей.