Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28268Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Гребень, М. В. | - |
| dc.contributor.author | Бабаченок, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-01-08T08:37:14Z | - |
| dc.date.available | 2013-01-08T08:37:14Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Сборник работ 68-й научной конференции студентов и аспирантов Белорусского государственного университета 16-19 мая 2011 г.: в 3-х ч.: ч. 1. – Минск: БГУ, 2011. – С. 184-188. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-369-3 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28268 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе предложен метод синтеза прямозонных полупроводников A3B5 в кристаллической матрице кремния. Наблюдаемая полоса в спектрах фотолюминесценции образцов в диапазоне длин волн 1,15–1,5 мкм с максимумом при 1,3 мкм позволяет говорить о потенциальной возможности создания светоизлучающего источника, работающего на квантовых точках, для систем оптоволоконной связи. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние режимов термообработки на структурные и оптические свойства нанокристаллов InAs и GaSb в ионноимплантированном кремнии | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2011. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. Часть1. | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 184-188.pdf | 603,72 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.