Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/282603
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мялик, Алексей Владимирович | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-27T05:28:34Z | - |
dc.date.available | 2022-06-27T05:28:34Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/282603 | - |
dc.description.abstract | Цель работы: Проведение моделирования интегральной полупроводниковой структуры и её электрических характеристик на базе транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) при изменении различных факторов в программном комплексе “Silvaco”. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Расчёт электрических характеристик слоев GaN/SiC: аннотация дипломной работы / Алексей Владимирович Мялик; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Прокопьев Станислав Леонидович | ru |
dc.type | annotation | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.description.alternative | Objects of study: Modeling of integrated device structures and their electrical characteristics using the Silvaco software package. | ru |
Располагается в коллекциях: | Радиофизика. 2022 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Malik_rfe_ref.pdf | 421,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.