Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/282603
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМялик, Алексей Владимирович-
dc.date.accessioned2022-06-27T05:28:34Z-
dc.date.available2022-06-27T05:28:34Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/282603-
dc.description.abstractЦель работы: Проведение моделирования интегральной полупроводниковой структуры и её электрических характеристик на базе транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT) при изменении различных факторов в программном комплексе “Silvaco”.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск: БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРасчёт электрических характеристик слоев GaN/SiC: аннотация дипломной работы / Алексей Владимирович Мялик; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Прокопьев Станислав Леонидовичru
dc.typeannotationru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeObjects of study: Modeling of integrated device structures and their electrical characteristics using the Silvaco software package.ru
Располагается в коллекциях:Радиофизика. 2022

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Malik_rfe_ref.pdf421,89 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.