Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/282602Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ермаленок, Кирилл Дмитриевич | - |
| dc.date.accessioned | 2022-06-27T05:05:35Z | - |
| dc.date.available | 2022-06-27T05:05:35Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/282602 | - |
| dc.description.abstract | Цель работы: Изучить формирование тонких слоев карбида кремния методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремниевой подложки с буферным слоем пористого кремния. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Быстрое термическое формирование слоев карбида кремния на пористом кремнии: аннотация дипломной работы / Кирилл Дмитриевич Ермаленок; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Лобанок Михаил Владимирович | ru |
| dc.type | annotation | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | The aim of the work is to study the formation of thin layers of silicon carbide by rapid vacuum—thermal carbidization of a silicon substrate with a buffer layer of porous silicon. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Физическая электроника. 2022 | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ermalenok_rfe_ref.pdf | 240,73 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.