Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/282602
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ермаленок, Кирилл Дмитриевич | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-27T05:05:35Z | - |
dc.date.available | 2022-06-27T05:05:35Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/282602 | - |
dc.description.abstract | Цель работы: Изучить формирование тонких слоев карбида кремния методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремниевой подложки с буферным слоем пористого кремния. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Быстрое термическое формирование слоев карбида кремния на пористом кремнии: аннотация дипломной работы / Кирилл Дмитриевич Ермаленок; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Лобанок Михаил Владимирович | ru |
dc.type | annotation | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.description.alternative | The aim of the work is to study the formation of thin layers of silicon carbide by rapid vacuum—thermal carbidization of a silicon substrate with a buffer layer of porous silicon. | ru |
Appears in Collections: | Физическая электроника. 2022 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Ermalenok_rfe_ref.pdf | 240,73 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.