Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/282602
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕрмаленок, Кирилл Дмитриевич-
dc.date.accessioned2022-06-27T05:05:35Z-
dc.date.available2022-06-27T05:05:35Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/282602-
dc.description.abstractЦель работы: Изучить формирование тонких слоев карбида кремния методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремниевой подложки с буферным слоем пористого кремния.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск: БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleБыстрое термическое формирование слоев карбида кремния на пористом кремнии: аннотация дипломной работы / Кирилл Дмитриевич Ермаленок; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Лобанок Михаил Владимировичru
dc.typeannotationru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeThe aim of the work is to study the formation of thin layers of silicon carbide by rapid vacuum—thermal carbidization of a silicon substrate with a buffer layer of porous silicon.ru
Appears in Collections:Физическая электроника. 2022

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ermalenok_rfe_ref.pdf240,73 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.