ВЛИЯНИЕ γ-ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТР АНИЗОТРОПИИ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ОДНООСНО ДЕФОРМИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ n-Si

Abstract

Исследовано пьезосопротивление − γ облученных разными дозами кристаллов n-Si. На основании теории анизо- тропного рассеяния и экспериментальных данных пьезосопротивления получены зависимости параметра анизотропии подвижности от одноосной деформации для указанных кристаллов. Показано, что для необлученных кристаллов n-Si параметр анизотропии подвижности не зависит от одноосного давления. Для − γ облученных кристаллов n-Si параметр анизотропии подвижности будет убывать при увеличении механического напряжения X за счет увеличения степени ионизации глубоких центров с уровнем EC-0,17 еВ, которые вводятся во время − γ облучения. Показано, что с возрас- танием степени компенсации кристаллов n-Si вследствии увеличения дозы − γ облучения необходимо учитывать рас- сеяние носителей заряда на примесных комплексах или кластерах, которые состоят из нескольких ионов примеси. Ус- тановлено, что для кристаллов n-Si облученных дозой 9,5⋅1017 кв./см2 при увеличении одноосного давления вероятность данного механизма рассеяния носителей заряда уменьшается и при сильных одноосных деформациях определяющим, как и для меньших доз облучения, будет рассеяние только на единичных ионах и акустических фононах.