Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/281658
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТиванов, М. С.-
dc.contributor.authorКоролик, О. В.-
dc.contributor.authorСвито, И. А.-
dc.contributor.authorКолесов, Е. А.-
dc.date.accessioned2022-06-20T11:38:34Z-
dc.date.available2022-06-20T11:38:34Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.otherРег. № НИР 20201724ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/281658-
dc.description.abstractОбъектом исследования являлся коммерчески доступный графен с числом слоев от 1 до 3 с берналовской (AB-типа) и поворотной укладкой, синтезированный с помощью химического осаждения из газовой фазы на медной фольге и перенесенный на подложки SiO2/Si, облученный ионами аргона энергией 46 МэВ с флюенсами 109, 1011, 1013 см2, а также численные модели подложки SiO2/Si и геометрические модели графена с поворотной укладкой; предметом исследования – спектры комбинационного рассеяния света (КРС) графена SiO2/Si до и после облучения, а также процессы дефектообразования в графене с берналовской и поворотной укладкой при его ионном облучении на SiO2/Si. Целью работы было установление механизмов дефектообразования в графене с берналовской и поворотной укладкой при облучении быстрыми тяжелыми ионами. В результате проведенных исследований с помощью спектроскопии КРС получены зависимости плотности дефектов от флюенса, соответствующие результатам моделирования TRIM и подтверждающие, что концентрация индуцированных облучением дефектов значительно превышает типичную концентрацию собственных дефектов при облучении с флюенсом 1013 см2. Геометрическое моделирование для графена с AB- и поворотной укладками показало изменение коэффициента образования скоррелированных пар вакансий от 0,50 для AB-графена до ~ 0,34 для графена с поворотной укладкой. На основании геометрического моделирования получены выражения, использованные для расчета истинной концентрации дефектов в графене с различными типами укладки из экспериментальных результатов спектроскопии КРС.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химияru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленностьru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механикаru
dc.titleМодификация структурных свойств графеновых слоев с берналовской и поворотной укладкой при облучении быстрыми тяжелыми ионами («графен-укладка-ионы») : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тивановru
dc.typereportru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Отчеты 2020

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Отчет 20201724 Тиванов.doc4,68 MBMicrosoft WordОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.