Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/281658
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Тиванов, М. С. | - |
dc.contributor.author | Королик, О. В. | - |
dc.contributor.author | Свито, И. А. | - |
dc.contributor.author | Колесов, Е. А. | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-20T11:38:34Z | - |
dc.date.available | 2022-06-20T11:38:34Z | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.other | Рег. № НИР 20201724 | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/281658 | - |
dc.description.abstract | Объектом исследования являлся коммерчески доступный графен с числом слоев от 1 до 3 с берналовской (AB-типа) и поворотной укладкой, синтезированный с помощью химического осаждения из газовой фазы на медной фольге и перенесенный на подложки SiO2/Si, облученный ионами аргона энергией 46 МэВ с флюенсами 109, 1011, 1013 см2, а также численные модели подложки SiO2/Si и геометрические модели графена с поворотной укладкой; предметом исследования – спектры комбинационного рассеяния света (КРС) графена SiO2/Si до и после облучения, а также процессы дефектообразования в графене с берналовской и поворотной укладкой при его ионном облучении на SiO2/Si. Целью работы было установление механизмов дефектообразования в графене с берналовской и поворотной укладкой при облучении быстрыми тяжелыми ионами. В результате проведенных исследований с помощью спектроскопии КРС получены зависимости плотности дефектов от флюенса, соответствующие результатам моделирования TRIM и подтверждающие, что концентрация индуцированных облучением дефектов значительно превышает типичную концентрацию собственных дефектов при облучении с флюенсом 1013 см2. Геометрическое моделирование для графена с AB- и поворотной укладками показало изменение коэффициента образования скоррелированных пар вакансий от 0,50 для AB-графена до ~ 0,34 для графена с поворотной укладкой. На основании геометрического моделирования получены выражения, использованные для расчета истинной концентрации дефектов в графене с различными типами укладки из экспериментальных результатов спектроскопии КРС. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/closedAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механика | ru |
dc.title | Модификация структурных свойств графеновых слоев с берналовской и поворотной укладкой при облучении быстрыми тяжелыми ионами («графен-укладка-ионы») : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель М. С. Тиванов | ru |
dc.type | report | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2020 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20201724 Тиванов.doc | 4,68 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.