ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ МЕТОДОВ ОТБОРА БИПОЛЯРНЫХ Si-СТРУКТУР ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ, РАБОТАЮЩЕЙ В КОСМОСЕ

Abstract

Исследовано влияние облучения высокоэнергетическими (Е = 6 МэВ) электронами, используемого для отбра- ковочных испытаний Si p+-p-n – диодов и для отбора образцов с однородной по партии радиационной стойкостью (РС). Показано, что за критерий отбора диодов с равномерной по партии РС можно принять одинаковость относи- тельных изменений времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) - дырок τp в n-базе диода на началь- ном этапе облучения в условиях экстремальных температурных колебаний (от плюс 100 на солнечной стороне и до минус 100ОС в тени) корпуса космического корабля (МКС) на орбите, дающее возможность аппроксимировать результаты на промежуточные температуры.